SIZ320DT-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 25V 30/40A 8POWER33
SIZ320DT-T1-GE3 P1
SIZ320DT-T1-GE3 P1
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Vishay Siliconix ~ SIZ320DT-T1-GE3

부품 번호
SIZ320DT-T1-GE3
제조사
Vishay Siliconix
기술
MOSFET 2N-CH 25V 30/40A 8POWER33
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
- SIZ320DT-T1-GE3 PDF online browsing
가족
트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이
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제품 매개 변수

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부품 번호 SIZ320DT-T1-GE3
부품 상태 Active
FET 유형 2 N-Channel (Dual)
FET 기능 Standard
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) 25V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 30A (Tc), 40A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs 8.3 mOhm @ 8A, 10V, 4.24 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id 2.4V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 8.9nC @ 4.5V, 11.9nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 660pF @ 12.5V, 1370pF @ 12.5V
전력 - 최대 16.7W, 31W
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
패키지 / 케이스 8-PowerWDFN
공급 업체 장치 패키지 8-Power33 (3x3)

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