CPV362M4F

IGBT SIP MODULE 600V 8.8A IMS-2
CPV362M4F P1
CPV362M4F P1
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Vishay Semiconductor Diodes Division ~ CPV362M4F

부품 번호
CPV362M4F
제조사
Vishay Semiconductor Diodes Division
기술
IGBT SIP MODULE 600V 8.8A IMS-2
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
- CPV362M4F PDF online browsing
가족
트랜지스터 - IGBT - 모듈
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제품 매개 변수

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부품 번호 CPV362M4F
부품 상태 Active
IGBT 형 -
구성 Three Phase Inverter
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 600V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) 8.8A
전력 - 최대 23W
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic 1.66V @ 15V, 8.8A
전류 - 콜렉터 차단 (최대) 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce 0.34nF @ 30V
입력 Standard
NTC 서미스터 No
작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Through Hole
패키지 / 케이스 19-SIP (13 Leads), IMS-2
공급 업체 장치 패키지 IMS-2

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