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| 부품 번호 | STH110N10F7-2 |
|---|---|
| 부품 상태 | Active |
| FET 유형 | N-Channel |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | 100V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 110A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 72nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 5117pF @ 50V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| FET 기능 | - |
| 전력 발산 (최대) | 150W (Tc) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 6.5 mOhm @ 55A, 10V |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount |
| 공급 업체 장치 패키지 | H²PAK |
| 패키지 / 케이스 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 재고 | 전망 | |
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STH110N10F7-2 | STMicroelectronics | MOSFET N CH 100V 110A H2PAK | - | 0 | 세부 |
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STH110N10F7-6 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-6 | - | 0 | 세부 |
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STH110N7F6-2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 68V 80A H2PAK-2 | - | 0 | 세부 |
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STH110N8F7-2 | STMicroelectronics | MOSFET | - | 89282 | 세부 |