SCT2280KEC

MOSFET N-CH 1200V 14A TO-247
SCT2280KEC P1
SCT2280KEC P1
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Rohm Semiconductor ~ SCT2280KEC

부품 번호
SCT2280KEC
제조사
Rohm Semiconductor
기술
MOSFET N-CH 1200V 14A TO-247
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
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가족
트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
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제품 매개 변수

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부품 번호 SCT2280KEC
부품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
과학 기술 SiCFET (Silicon Carbide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) 1200V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 14A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 18V
Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 1.4mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 36nC @ 18V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 667pF @ 800V
Vgs (최대) +22V, -6V
FET 기능 -
전력 발산 (최대) 108W (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs 364 mOhm @ 4A, 18V
작동 온도 175°C (TJ)
실장 형 Through Hole
공급 업체 장치 패키지 TO-247
패키지 / 케이스 TO-247-3

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