PMDXB950UPE

MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN
PMDXB950UPE P1
PMDXB950UPE P1
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Nexperia USA Inc. ~ PMDXB950UPE

부품 번호
PMDXB950UPE
제조사
Nexperia USA Inc.
기술
MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
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가족
트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이
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제품 매개 변수

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부품 번호 PMDXB950UPE
부품 상태 Active
FET 유형 2 P-Channel (Dual)
FET 기능 Logic Level Gate
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) 20V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 500mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs 1.4 Ohm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id 950mV @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 2.1nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 43pF @ 10V
전력 - 최대 265mW
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
패키지 / 케이스 6-XFDFN Exposed Pad
공급 업체 장치 패키지 6-DFN (1.1x1)

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