이미지는 참고 용입니다.
제품 세부 정보는 제품 사양을 참조하십시오.

Microsemi Corporation ~ APT5SM170B

부품 번호	APT5SM170B
부품 상태	Obsolete
FET 유형	N-Channel
과학 기술	SiCFET (Silicon Carbide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)	1700V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)	5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	20V
Rds On (최대) @ Id, Vgs	1.25 Ohm @ 2.5A, 20V
Vgs (th) (최대) @ Id	3.2V @ 500µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs	21nC @ 20V
Vgs (최대)	+25V, -10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds	249pF @ 1000V
FET 기능	-
전력 발산 (최대)	65W (Tc)
작동 온도	-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형	Through Hole
공급 업체 장치 패키지	TO-247-3
패키지 / 케이스	TO-247-3

부품 번호	제조사	기술	PDF	재고	전망
APT5010B2FLLG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX	-	32	세부
APT5010B2LLG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX	-	0	세부
APT5010JLLU2	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227	-	63	세부
APT5010JLLU3	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 500V 41A SOT227	-	23	세부
APT5010JVRU2	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 500V 44A SOT227	-	49	세부
APT5010JVRU3	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 500V 44A SOT227	-	2	세부
APT5010LFLLG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 500V 46A TO-264	-	83	세부
APT5010LLLG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 500V 46A TO-264	-	69	세부
APT5012JN	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 500V 43A ISOTOP		0	세부
APT5014B2VRG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 500V T-MAX	-	0	세부
APT5014BLLG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 500V 35A TO-247	-	7	세부
APT5014SLLG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 500V 35A D3PAK	-	0	세부