MMIX4B20N300

MOSFET N-CH
MMIX4B20N300 P1
MMIX4B20N300 P1
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IXYS ~ MMIX4B20N300

부품 번호
MMIX4B20N300
제조사
IXYS
기술
MOSFET N-CH
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
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가족
트랜지스터 - IGBT - 어레이
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제품 매개 변수

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부품 번호 MMIX4B20N300
부품 상태 Active
IGBT 형 -
구성 Full Bridge
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 3000V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) 34A
전력 - 최대 150W
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic 3.2V @ 15V, 20A
전류 - 콜렉터 차단 (최대) -
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce -
입력 Standard
NTC 서미스터 No
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
패키지 / 케이스 24-SMD Module, 9 Leads
공급 업체 장치 패키지 SMPD

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