IXTH02N250

MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO247
IXTH02N250 P1
IXTH02N250 P2
IXTH02N250 P1
IXTH02N250 P2
이미지는 참고 용입니다.
제품 세부 정보는 제품 사양을 참조하십시오.

IXYS ~ IXTH02N250

부품 번호
IXTH02N250
제조사
IXYS
기술
MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO247
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
- IXTH02N250 PDF online browsing
가족
트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
  • 재고 있음 $ 수량
  • 참고 가격 : submit a request

표시된 수량보다 많은 수량에 대한 견적 요청서를 제출하십시오.

제품 매개 변수

모든 제품

부품 번호 IXTH02N250
부품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) 2500V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 200mA (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V
Vgs (th) (최대) @ Id 4.5V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 7.4nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 116pF @ 25V
Vgs (최대) ±20V
FET 기능 -
전력 발산 (최대) 83W (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs 450 Ohm @ 50mA, 10V
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Through Hole
공급 업체 장치 패키지 TO-247 (IXTH)
패키지 / 케이스 TO-247-3

관련 상품

모든 제품