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| 부품 번호 | IXFN38N100P |
|---|---|
| 부품 상태 | Active |
| FET 유형 | N-Channel |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | 1000V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 38A |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 6.5V @ 1mA |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 350nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 24000pF @ 25V |
| Vgs (최대) | ±30V |
| FET 기능 | - |
| 전력 발산 (최대) | 1000W (Tc) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 210 mOhm @ 19A, 10V |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Chassis Mount |
| 공급 업체 장치 패키지 | SOT-227B |
| 패키지 / 케이스 | SOT-227-4, miniBLOC |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 재고 | 전망 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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IXFN100N10S1 | IXYS | MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B | - | 0 | 세부 |
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IXFN100N10S2 | IXYS | MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B | - | 0 | 세부 |
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IXFN100N10S3 | IXYS | MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B | - | 0 | 세부 |
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IXFN100N20 | IXYS | MOSFET N-CH 200V 100A SOT-227B | - | 0 | 세부 |
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IXFN100N25 | IXYS | MOSFET N-CH 250V 100A SOT-227B | - | 2827 | 세부 |
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IXFN100N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 90A SOT-227B | - | 85 | 세부 |
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IXFN100N50Q3 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 82A SOT-227 | 19 | 세부 | |
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IXFN100N65X2 | IXYS | MOSFET N-CH | - | 3058 | 세부 |
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IXFN102N30P | IXYS | MOSFET N-CH 300V 88A SOT227B | 0 | 세부 | |
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IXFN106N20 | IXYS | MOSFET N-CH 200V 106A SOT-227B | - | 88 | 세부 |
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IXFN110N60P3 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 90A SOT227 | 300 | 세부 | |
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IXFN110N85X | IXYS | 850V/110A ULT JUNCT X-CLASS HIPE | 2 | 세부 |