이미지는 참고 용입니다.
제품 세부 정보는 제품 사양을 참조하십시오.
| 부품 번호 | EPC2101ENGRT |
|---|---|
| 부품 상태 | Active |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET 기능 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| 드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | 60V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 9.5A, 38A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 11.5 mOhm @ 20A, 5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.5V @ 2mA |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 2.7nC @ 5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 300pF @ 30V |
| 전력 - 최대 | - |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | Die |
| 공급 업체 장치 패키지 | Die |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 재고 | 전망 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
EPC2001 | EPC | TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE | 26500 | 세부 | |
 |
EPC2001C | EPC | TRANS GAN 100V 36A BUMPED DIE | 70000 | 세부 | |
 |
EPC2007 | EPC | TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE | 0 | 세부 | |
 |
EPC2007C | EPC | TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE | 15000 | 세부 | |
 |
EPC2010 | EPC | TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE | 5000 | 세부 | |
 |
EPC2010C | EPC | TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE | 12000 | 세부 | |
 |
EPC2010CENGR | EPC | TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE | 0 | 세부 | |
 |
EPC2012 | EPC | TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE | 4000 | 세부 | |
 |
EPC2012C | EPC | TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE | 21000 | 세부 | |
 |
EPC2012CENGR | EPC | TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE | 0 | 세부 | |
 |
EPC2014 | EPC | TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE | 26000 | 세부 | |
 |
EPC2014C | EPC | TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE | 97500 | 세부 |