DMT69M8LSS-13

MOSFET BVDSS: 41V 60V,SO-8,T&R,2
DMT69M8LSS-13 P1
DMT69M8LSS-13 P1
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Diodes Incorporated ~ DMT69M8LSS-13

부품 번호
DMT69M8LSS-13
제조사
Diodes Incorporated
기술
MOSFET BVDSS: 41V 60V,SO-8,T&R,2
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
- DMT69M8LSS-13 PDF online browsing
가족
트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
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제품 매개 변수

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부품 번호 DMT69M8LSS-13
부품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) 60V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 9.8A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id 2V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 33.5nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1925pF @ 30V
Vgs (최대) ±16V
FET 기능 -
전력 발산 (최대) 1.25W (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs 12 mOhm @ 13.5A, 10V
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 8-SO
패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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