C3M0120090J-TR

MOSFET N-CH 900V 22A
C3M0120090J-TR P1
C3M0120090J-TR P2
C3M0120090J-TR P1
C3M0120090J-TR P2
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Cree/Wolfspeed ~ C3M0120090J-TR

부품 번호
C3M0120090J-TR
제조사
Cree/Wolfspeed
기술
MOSFET N-CH 900V 22A
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
- C3M0120090J-TR PDF online browsing
가족
트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
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제품 매개 변수

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부품 번호 C3M0120090J-TR
부품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
과학 기술 SiCFET (Silicon Carbide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) 900V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 22A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 15V
Vgs (th) (최대) @ Id 3.5V @ 3mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 17.3nC @ 15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 350pF @ 600V
Vgs (최대) +18V, -8V
FET 기능 -
전력 발산 (최대) 83W (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs 155 mOhm @ 15A, 15V
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 D2PAK-7
패키지 / 케이스 TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

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