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| 品番 | S1GLR2G |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| ダイオードタイプ | Standard |
| 電圧 - DC逆（Vr）（最大） | 400V |
| 電流 - 平均整流（Io） | 1A |
| 電圧 - フォワード（Vf）（最大）@ If | 1.1V @ 1A |
| 速度 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| 逆回復時間（trr） | 1.8µs |
| 電流 - 逆リーク（Vr） | 5µA @ 400V |
| 容量Vr、F | 9pF @ 4V, 1MHz |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | DO-219AB |
| サプライヤデバイスパッケージ | Sub SMA |
| 動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 175°C |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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S1G | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 400V 1A SMA | - | 832500 | 詳細 |
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S1G M2G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC | - | 1562148 | 詳細 |
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S1G R3G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC | - | 1041432 | 詳細 |
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S1G-13 | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 400V 1A SMA | 0 | 詳細 | |
 |
S1G-13-F | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 400V 1A SMA | - | 245000 | 詳細 |
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S1G-E3/1 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC | 0 | 詳細 | |
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S1G-E3/5AT | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC | - | 0 | 詳細 |
 |
S1G-E3/61T | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC | - | 0 | 詳細 |
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S1G-F | SMC Diode Solutions | SMT GLASS PASSIVATED RECTIFIER | - | 25825 | 詳細 |
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S1G-JR2 | Taiwan Semiconductor Corporation | STANDARD RECOVERY RECTIFIER | - | 25814 | 詳細 |
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S1G-JR3 | Taiwan Semiconductor Corporation | STANDARD RECOVERY RECTIFIER | - | 25814 | 詳細 |
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S1G-KR2G | Taiwan Semiconductor Corporation | 1A 400V STANDARD RECOVERY RECT | - | 1769008 | 詳細 |