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| 品番 | RJM0603JSC-00#12 |
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| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) |
| FET機能 | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 60V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 20A |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 20 mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2.5V @ 1mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 43nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2600pF @ 10V |
| 電力 - 最大 | 54W |
| 動作温度 | 175°C |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | 20-SOIC (0.433", 11.00mm Width) Exposed Pad |
| サプライヤデバイスパッケージ | 20-HSOP |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
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RJM0603JSC-00#12 | Renesas Electronics America | MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP | 0 | 詳細 | |
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RJM0603JSC-00#13 | Renesas Electronics America | MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP | - | 0 | 詳細 |