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| Número de pieza | RJM0603JSC-00#12 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) |
| Característica FET | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 20A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 43nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2600pF @ 10V |
| Potencia - Max | 54W |
| Temperatura de funcionamiento | 175°C |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | 20-SOIC (0.433", 11.00mm Width) Exposed Pad |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 20-HSOP |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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RJM0603JSC-00#12 | Renesas Electronics America | MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP | 0 | Detalles | |
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RJM0603JSC-00#13 | Renesas Electronics America | MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP | - | 0 | Detalles |