GP1M009A020FG

MOSFET N-CH 200V 9A TO220F
GP1M009A020FG P1
GP1M009A020FG P1
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Global Power Technologies Group ~ GP1M009A020FG

品番
GP1M009A020FG
メーカー
Global Power Technologies Group
説明
MOSFET N-CH 200V 9A TO220F
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 GP1M009A020FG
部品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 200V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 9A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 5V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 8.6nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 414pF @ 25V
Vgs(最大) ±30V
FET機能 -
消費電力(最大) 17.3W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 400 mOhm @ 4.5A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-220F
パッケージ/ケース TO-220-3 Full Pack

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