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BOM

GP1M003A080PH

MOSFET N-CH 800V 3A IPAK
ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › GP1M003A080PH
GP1M003A080PH P1
GP1M003A080PH P1
画像は参考用です。
製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

Global Power Technologies Group ~ GP1M003A080PH

品番
GP1M003A080PH
メーカー
Global Power Technologies Group
説明
MOSFET N-CH 800V 3A IPAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
GP1M003A080PH.pdf GP1M003A080PH PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 GP1M003A080PH
部品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 800V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 3A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 4V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 19nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 696pF @ 25V
Vgs（最大） ±30V
FET機能 -
消費電力（最大） 94W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 4.2 Ohm @ 1.5A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ I-Pak
パッケージ/ケース TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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