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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。
| 品番 | GP1M008A080FH |
|---|---|
| 部品ステータス | Obsolete |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 800V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 8A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 4V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 46nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1921pF @ 25V |
| Vgs（最大） | ±30V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 40.3W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 1.4 Ohm @ 4A, 10V |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220F |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 Full Pack |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
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GP1M003A040CG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 400V 2A DPAK | 0 | 詳細 | |
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GP1M003A040PG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 400V 2A IPAK | 0 | 詳細 | |
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GP1M003A050CG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK | 0 | 詳細 | |
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GP1M003A050FG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220F | 0 | 詳細 | |
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GP1M003A050HG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220 | 0 | 詳細 | |
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GP1M003A050PG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 500V 2.5A IPAK | 0 | 詳細 | |
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GP1M003A080CH | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 800V 3A DPAK | 0 | 詳細 | |
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GP1M003A080FH | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 800V 3A TO220F | 0 | 詳細 | |
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GP1M003A080H | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 800V 3A TO220 | 0 | 詳細 | |
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GP1M003A080PH | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 800V 3A IPAK | 0 | 詳細 | |
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GP1M003A090C | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 900V 2.5A DPAK | 0 | 詳細 | |
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GP1M003A090PH | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 900V 2.5A IPAK | 0 | 詳細 |