• お問い合わせ
  • 引用を要求
  • 日本语
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • Türkiy
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
    • Vietnam
BOM

DF2005-G

RECTIFIER BRIDGE 2.0A 50V DF
ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › ダイオード - ブリッジ整流器 › DF2005-G
DF2005-G P1
DF2005-G P1
画像は参考用です。
製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

Comchip Technology ~ DF2005-G

品番
DF2005-G
メーカー
Comchip Technology
説明
RECTIFIER BRIDGE 2.0A 50V DF
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
DF2005-G.pdf DF2005-G PDF online browsing
家族
ダイオード - ブリッジ整流器
  • 在庫あり$数量個
  • 参考価格 : submit a request

表示よりも数量の多い価格見積依頼を提出

製品パラメータ

すべての製品

品番 DF2005-G
部品ステータス Active
ダイオードタイプ Single Phase
技術 Standard
電圧 - ピークリバース（最大） 50V
電流 - 平均整流（Io） 2A
電圧 - フォワード（Vf）（最大）@ If 1.1V @ 2A
電流 - 逆リーク（Vr） 10µA @ 50V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
パッケージ/ケース 4-EDIP (0.321", 8.15mm)
サプライヤデバイスパッケージ 4-DF

関連製品

すべての製品

画像 品番 メーカー 説明 PDF 在庫あり 見る
DF2005-G DF2005-G Comchip Technology RECTIFIER BRIDGE 2.0A 50V DF 0 詳細
DF2005S-G DF2005S-G Comchip Technology RECTIFIER BRIDGE 2.0A 50V DF 200 詳細
DF2005ST-G DF2005ST-G Comchip Technology RECTIFIER BRIDGE 2.0A 50V DF 0 詳細
DF200R12KE3HOSA1 DF200R12KE3HOSA1 Infineon Technologies IGBT MODULE VCES 1200V 200A - 699 詳細
DF200R12PT4B6BOSA1 DF200R12PT4B6BOSA1 Infineon Technologies IGBT MODULE VCES 1200V 200A - 356 詳細
DF200R12W1H3B27BOMA1 DF200R12W1H3B27BOMA1 Infineon Technologies IGBT MODULE VCES 1200V 200A - 1274 詳細
DF200R12W1H3FB11BOMA1 DF200R12W1H3FB11BOMA1 Infineon Technologies MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2-1 - 795 詳細
DF200R12W1H3FB11BPSA1 DF200R12W1H3FB11BPSA1 Infineon Technologies MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2-1 0 詳細
DF201-G DF201-G Comchip Technology RECTIFIER BRIDGE 2.0A 100V DF 0 詳細
DF201S-G DF201S-G Comchip Technology RECTIFIER BRIDGE 2.0A 100V DF 0 詳細
DF201ST-G DF201ST-G Comchip Technology RECTIFIER BRIDGE 2.0A 100V DF 0 詳細
DF202-G DF202-G Comchip Technology RECTIFIER BRIDGE 2.0A 200V DF 0 詳細