DF200R12W1H3FB11BOMA1

MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2-1
DF200R12W1H3FB11BOMA1 P1
DF200R12W1H3FB11BOMA1 P1
画像は参考用です。
製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

Infineon Technologies ~ DF200R12W1H3FB11BOMA1

品番
DF200R12W1H3FB11BOMA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2-1
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- DF200R12W1H3FB11BOMA1 PDF online browsing
家族
トランジスタ - IGBT - モジュール
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製品パラメータ

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品番 DF200R12W1H3FB11BOMA1
部品ステータス Active
IGBTタイプ Trench Field Stop
構成 Three Phase Inverter
電圧 - コレクタエミッタ破壊(最大) 1200V
電流 - コレクタ(Ic)(最大) 30A
電力 - 最大 20mW
Vce(on)(Max)@ Vge、Ic 1.45V @ 15V, 30A
電流 - コレクタ遮断(最大) 1mA
入力容量(Cies)@ Vce 6.15nF @ 25V
入力 Standard
NTCサーミスタ Yes
動作温度 -40°C ~ 150°C
取付タイプ Chassis Mount
パッケージ/ケース Module
サプライヤデバイスパッケージ Module

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