BYR5D-1200PJ

BYR5D-1200PDPAK Q1 T1 STANDARD M
BYR5D-1200PJ P1
BYR5D-1200PJ P1
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WeEn Semiconductors ~ BYR5D-1200PJ

Numero di parte
BYR5D-1200PJ
fabbricante
WeEn Semiconductors
Descrizione
BYR5D-1200PDPAK Q1 T1 STANDARD M
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Diodi - Raddrizzatori - Singoli
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Numero di parte BYR5D-1200PJ
Stato parte Active
Tipo diodo Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) 1200V
Corrente - Rettificato medio (Io) 5A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 2.2V @ 5A
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) 62ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr 50µA @ 1200V
Capacità @ Vr, F -
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo fornitore DPAK
Temperatura operativa - Giunzione 175°C (Max)

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