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| Numero di parte | VS-HFA90FA120 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Configurazione diodi | 2 Independent |
| Tipo diodo | Standard |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
| Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | 45A (DC) |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 3.3V @ 40A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 75µA @ 1200V |
| Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / caso | SOT-227-4, miniBLOC |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-227 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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VS-HFA04SD60S-M3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 4A TO252AA | - | 756 | Dettagli |
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VS-HFA04SD60SHM3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE HEXFRED 4A 600V DPAK | - | 0 | Dettagli |
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VS-HFA04SD60SL-M3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE HEXFRED 4A 600V DPAK | - | 0 | Dettagli |
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VS-HFA04SD60SLHM3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE HEXFRED 4A 600V DPAK | - | 0 | Dettagli |
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VS-HFA04SD60SPBF | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 4A DPAK | - | 17 | Dettagli |
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VS-HFA04SD60SR-M3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE HEXFRED 4A 600V DPAK | - | 0 | Dettagli |
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VS-HFA04SD60SRHM3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE HEXFRED 4A 600V DPAK | - | 0 | Dettagli |
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VS-HFA04SD60STR-M3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE HEXFRED 4A 600V DPAK | - | 0 | Dettagli |
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VS-HFA04SD60STRHM3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE HEXFRED 4A 600V DPAK | - | 0 | Dettagli |
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VS-HFA04SD60STRLP | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 4A DPAK | - | 0 | Dettagli |
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VS-HFA04SD60STRPBF | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 4A DPAK | - | 0 | Dettagli |
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VS-HFA04SD60STRRP | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 4A DPAK | - | 0 | Dettagli |