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| Numero di parte | VS-GA100TS120UPBF |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo IGBT | - |
| Configurazione | Half Bridge |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 182A |
| Potenza - Max | 520W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 100A |
| Corrente - Limite del collettore (max) | 1mA |
| Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 18.67nF @ 30V |
| Ingresso | Standard |
| Termistore NTC | No |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / caso | INT-A-Pak |
| Pacchetto dispositivo fornitore | INT-A-PAK |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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VS-GA100NA60UP | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 100A 250W SOT-227 | 0 | Dettagli | |
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VS-GA100TS120UPBF | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 182A 520W INT-A-PAK | 0 | Dettagli | |
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VS-GA100TS60SF | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 220A 780W | - | 0 | Dettagli |
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VS-GA100TS60SFPBF | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 220A 780W INT-A-PAK | - | 0 | Dettagli |