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| Numero di parte | SUD50N02-06P-E3 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2550pF @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 6.8W (Ta), 65W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 mOhm @ 20A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-252, (D-Pak) |
| Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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SUD50N02-04P-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 50A DPAK | - | 0 | Dettagli |
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SUD50N02-06P-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 50A TO252 | - | 0 | Dettagli |
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SUD50N02-09P-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V DPAK | - | 0 | Dettagli |
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SUD50N02-09P-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 20A TO252 | 0 | Dettagli | |
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SUD50N024-09P-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 22V 49A TO252 | - | 0 | Dettagli |
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SUD50N025-06P-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 25V 78A TO252 | - | 0 | Dettagli |
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SUD50N03-06AP-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 90A TO252 | - | 4000 | Dettagli |
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SUD50N03-06AP-T4E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 90A TO252 | - | 0 | Dettagli |
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SUD50N03-06P-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 84A TO252 | - | 0 | Dettagli |
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SUD50N03-09P-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 63A TO252 | - | 2000 | Dettagli |
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SUD50N03-09P-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 63A TO252 | - | 0 | Dettagli |
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SUD50N03-11-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 50A TO252 | - | 0 | Dettagli |