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| Numero di parte | SUD40N02-08-E3 |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 40A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 600mV @ 250µA (Min) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2660pF @ 20V |
| Vgs (massimo) | ±12V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 8.3W (Ta), 71W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.5 mOhm @ 20A, 4.5V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-252, (D-Pak) |
| Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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SUD40151EL-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CHAN 40V TO-252 | - | 68118 | Dettagli |
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SUD40N02-08-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 40A TO252 | - | 0 | Dettagli |
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SUD40N02-3M3P-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 24.4A TO252 | - | 0 | Dettagli |
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SUD40N04-10A-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 40A TO252 | - | 0 | Dettagli |
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SUD40N08-16-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 80V 40A TO252 | - | 18000 | Dettagli |
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SUD40N10-25-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 40A TO252 | - | 0 | Dettagli |
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SUD40N10-25-T4-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 40A TO252 | - | 0 | Dettagli |