SQJ980AEP-T1_GE3

MOSFET ARRAY 2N-CH 75V SO8
SQJ980AEP-T1_GE3 P1
SQJ980AEP-T1_GE3 P1
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Vishay Siliconix ~ SQJ980AEP-T1_GE3

Numero di parte
SQJ980AEP-T1_GE3
fabbricante
Vishay Siliconix
Descrizione
MOSFET ARRAY 2N-CH 75V SO8
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
- SQJ980AEP-T1_GE3 PDF online browsing
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Array
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Numero di parte SQJ980AEP-T1_GE3
Stato parte Active
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 75V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50 mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 790pF @ 35V
Potenza - Max 34W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TA)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso PowerPAK® SO-8 Dual
Pacchetto dispositivo fornitore PowerPAK® SO-8 Dual

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