Le immagini sono solo di riferimento.
Vedi le Specifiche del prodotto per i dettagli del prodotto.
| Numero di parte | SQJ872EP-T1_GE3 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 24.5A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35.5 mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1045pF @ 25V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 55W (Tc) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SO-8 |
| Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
SQJ872EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 150V | - | 103849 | Dettagli |