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| Numero di parte | SQD40030E_GE3 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 65nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (massimo) | - |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| temperatura di esercizio | 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-252AA |
| Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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SQD40030E_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V TO252AA | - | 2000 | Dettagli |
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SQD40031EL_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CHAN 30V | - | 89096 | Dettagli |
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SQD40061EL_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CHAN 40V | - | 89096 | Dettagli |
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SQD40081EL_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CHAN 40V TO252 | - | 100672 | Dettagli |
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SQD40131EL_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CHAN 40V D-S TO-252 | - | 108737 | Dettagli |
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SQD40N06-14L_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 40A | - | 0 | Dettagli |
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SQD40N06-25L-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 30A TO252 | - | 0 | Dettagli |
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SQD40N10-25_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 40A TO252 | - | 0 | Dettagli |
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SQD40P10-40L_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CHAN 100V TO252 | - | 0 | Dettagli |