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| Numero di parte | SIR846ADP-T1-GE3 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 66nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2350pF @ 50V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 5.4W (Ta), 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.8 mOhm @ 20A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SO-8 |
| Pacchetto / caso | PowerPAK® SO-8 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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SIR846ADP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8 | - | 0 | Dettagli |
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SIR846ADP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 60A POWERPAKSO | - | 72944 | Dettagli |
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SIR846DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8 | - | 0 | Dettagli |