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| Numero di parte | SI8806DB-T2-E1 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.8V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 8V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (massimo) | ±8V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 43 mOhm @ 1A, 4.5V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 4-Microfoot |
| Pacchetto / caso | 4-XFBGA |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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SI8800EDB-T2-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V MICROFOOT | - | 60000 | Dettagli |
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SI8802DB-T2-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 8V MICROFOOT | - | 33000 | Dettagli |
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SI8805EDB-T2-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 8V MICROFOOT | - | 6000 | Dettagli |
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SI8806DB-T2-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 12V MICROFOOT | 0 | Dettagli | |
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SI8808DB-T2-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V MICROFOOT | - | 12000 | Dettagli |
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SI8809EDB-T2-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 1.9A MICROFOOT | - | 0 | Dettagli |