Le immagini sono solo di riferimento.
Vedi le Specifiche del prodotto per i dettagli del prodotto.
| Numero di parte | SI7842DP-T1-E3 |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6.3A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22 mOhm @ 7.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Potenza - Max | 1.4W |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7840BDP-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8 | - | 0 | Dettagli |
 |
SI7840BDP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8 | - | 0 | Dettagli |
 |
SI7842DP-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 6.3A PPAK SO-8 | - | 0 | Dettagli |
 |
SI7842DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 6.3A PPAK SO-8 | - | 0 | Dettagli |
 |
SI7844DP-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8 | - | 0 | Dettagli |
 |
SI7844DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8 | - | 0 | Dettagli |
 |
SI7846DP-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8 | - | 0 | Dettagli |
 |
SI7846DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8 | - | 0 | Dettagli |
 |
SI7848BDP-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 47A PPAK SO-8 | - | 15000 | Dettagli |
 |
SI7848BDP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 47A PPAK SO-8 | - | 0 | Dettagli |
 |
SI7848DP-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 10.4A PPAK SO-8 | 0 | Dettagli |