SI2318DS-T1-E3

MOSFET N-CH 40V 3A SOT23-3
SI2318DS-T1-E3 P1
SI2318DS-T1-E3 P1
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Vishay Siliconix ~ SI2318DS-T1-E3

Numero di parte
SI2318DS-T1-E3
fabbricante
Vishay Siliconix
Descrizione
MOSFET N-CH 40V 3A SOT23-3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
- SI2318DS-T1-E3 PDF online browsing
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte SI2318DS-T1-E3
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 540pF @ 20V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 750mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45 mOhm @ 3.9A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-23-3 (TO-236)
Pacchetto / caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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