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| Numero di parte | SI1900DL-T1-GE3 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 630mA (Ta), 590mA (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 480 mOhm @ 590mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.4nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Potenza - Max | 300mW, 270mW |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SC-70-6 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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SI1900DL-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 0.59A SC70-6 | - | 0 | Dettagli |
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SI1900DL-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2 N-CH 30V SC70-6 | - | 274337 | Dettagli |
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SI1902CDL-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 1.1A SC-70-6 | - | 0 | Dettagli |
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SI1902DL-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC70-6 | - | 105000 | Dettagli |
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SI1902DL-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC-70-6 | - | 6000 | Dettagli |
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SI1903DL-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 0.41A SC70-6 | - | 0 | Dettagli |
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SI1903DL-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 0.41A SC70-6 | - | 0 | Dettagli |
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SI1905BDH-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 8V 0.63A SC70-6 | - | 0 | Dettagli |
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SI1905DL-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 8V 0.57A SC70-6 | - | 0 | Dettagli |