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| Numero di parte | BYW52-TR |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo diodo | Avalanche |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
| Corrente - Rettificato medio (Io) | 2A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 1A |
| Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 4µs |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 200V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / caso | SOD-57, Axial |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-57 |
| Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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BYW100-200 | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO15 | 0 | Dettagli | |
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BYW100-200RL | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO15 | 0 | Dettagli | |
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BYW172D-TAP | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 200V 3A SOD64 | - | 0 | Dettagli |
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BYW172D-TR | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 200V 3A SOD64 | - | 0 | Dettagli |
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BYW172F-TAP | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 300V 3A SOD64 | - | 0 | Dettagli |
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BYW172F-TR | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 300V 3A SOD64 | - | 0 | Dettagli |
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BYW172G-TAP | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 400V 3A SOD64 | - | 0 | Dettagli |
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BYW172G-TR | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 400V 3A SOD64 | - | 0 | Dettagli |
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BYW178-TAP | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 800V 3A SOD64 | - | 0 | Dettagli |
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BYW178-TR | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 800V 3A SOD64 | - | 10000 | Dettagli |
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BYW27-200GP-E3/54 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL | - | 0 | Dettagli |
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BYW27-200GP-E3/73 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL | - | 0 | Dettagli |