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| Numero di parte | BYV27-200-TR |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo diodo | Avalanche |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
| Corrente - Rettificato medio (Io) | 2A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.07V @ 3A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 25ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 200V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / caso | SOD-57, Axial |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-57 |
| Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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BYV255V-200 | STMicroelectronics | DIODE MODULE 200V 100A ISOTOP | - | 0 | Dettagli |
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BYV25D-600,118 | WeEn Semiconductors | DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK | - | 0 | Dettagli |
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BYV25F-600,127 | WeEn Semiconductors | DIODE GEN PURP 600V 5A TO220AC | - | 0 | Dettagli |
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BYV25FB-600,118 | WeEn Semiconductors | DIODE GEN PURP 600V 5A D2PAK | - | 0 | Dettagli |
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BYV25FD-600,118 | WeEn Semiconductors | DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK | - | 0 | Dettagli |
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BYV25FX-600,127 | WeEn Semiconductors | DIODE GEN PURP 600V 5A TO220F | - | 0 | Dettagli |
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BYV25G-600,127 | WeEn Semiconductors | DIODE GEN PURP 600V 5A I2PAK | - | 0 | Dettagli |
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BYV25X-600,127 | WeEn Semiconductors | DIODE GEN PURP 600V 5A TO220F | - | 5327 | Dettagli |
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BYV26A-TAP | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 200V 1A SOD57 | - | 0 | Dettagli |
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BYV26A-TR | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 200V 1A SOD57 | - | 0 | Dettagli |
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BYV26B-TAP | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 400V 1A SOD57 | - | 0 | Dettagli |
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BYV26B-TR | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 400V 1A SOD57 | - | 5000 | Dettagli |