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Vishay Semiconductor Diodes Division ~ BYG10YHE3_A/I

Numero di parte	BYG10YHE3_A/I
Stato parte	Active
Tipo diodo	Avalanche
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max)	1600V
Corrente - Rettificato medio (Io)	1.5A (DC)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.15V @ 1.5A
Velocità	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)	4µs
Corrente - Perdita inversa @ Vr	1µA @ 1600V
Capacità @ Vr, F	-
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	DO-214AC, SMA
Pacchetto dispositivo fornitore	SMA (DO-214AC)
Temperatura operativa - Giunzione	-55°C ~ 150°C

Numero di parte	Produttori	Descrizione	PDF	vista
BYG10D-E3/TR	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE AVALANCHE 200V 1.5A	-	Dettagli
BYG10D-E3/TR3	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE AVALANCHE 200V 1.5A	-	Dettagli
BYG10D-M3/TR	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE AVALANCHE 200V 1.5A		Dettagli
BYG10D-M3/TR3	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE AVALANCHE 200V 1.5A		Dettagli
BYG10DHE3_A/H	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE AVALANCHE 200V 1.5A SMA	-	Dettagli
BYG10DHE3_A/I	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE AVALANCHE 200V 1.5A SMA	-	Dettagli
BYG10DHM3_A/H	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE AVALANCHE 200V 1.5A SMA	-	Dettagli
BYG10DHM3_A/I	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE AVALANCHE 200V 1.5A SMA	-	Dettagli
BYG10G-E3/TR	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE AVALANCHE 400V 1.5A	-	Dettagli
BYG10G-E3/TR3	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE AVALANCHE 400V 1.5A	-	Dettagli
BYG10G-M3/TR	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE AVALANCHE 400V 1.5A		Dettagli
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