3N163-2

MOSFET P-CH 40V 50MA TO-72
3N163-2 P1
3N163-2 P1
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Vishay Siliconix ~ 3N163-2

Numero di parte
3N163-2
fabbricante
Vishay Siliconix
Descrizione
MOSFET P-CH 40V 50MA TO-72
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte 3N163-2
Stato parte Obsolete
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 50mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 20V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 10µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3.5pF @ 15V
Vgs (massimo) ±30V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 375mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250 Ohm @ 100µA, 20V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-72
Pacchetto / caso TO-206AF, TO-72-4 Metal Can

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