HCT7000M

MOSFET N-CH 60V 200MA SMD
HCT7000M P1
HCT7000M P2
HCT7000M P1
HCT7000M P2
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TT Electronics/Optek Technology ~ HCT7000M

Numero di parte
HCT7000M
fabbricante
TT Electronics/Optek Technology
Descrizione
MOSFET N-CH 60V 200MA SMD
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
- HCT7000M PDF online browsing
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte HCT7000M
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 200mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 60pF @ 25V
Vgs (massimo) ±40V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 300mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5 Ohm @ 500mA, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 3-SMD
Pacchetto / caso 3-SMD, No Lead

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