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| Numero di parte | TPN2R304PL,L1Q |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 0.3mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 41nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3600pF @ 20V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 630mW (Ta), 104W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3 mOhm @ 40A, 10V |
| temperatura di esercizio | 175°C |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Pacchetto / caso | 8-PowerVDFN |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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TPN2R203NC,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 45A 8-TSON | - | 0 | Dettagli |
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TPN2R304PL,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 40V 80A TSON | - | 0 | Dettagli |
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TPN2R503NC,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N CH 30V 40A 8TSON-ADV | - | 0 | Dettagli |
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TPN2R703NL,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 45A 8-TSON | - | 10000 | Dettagli |
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TPN2R805PL,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR | - | 163343 | Dettagli |