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| Numero di parte | TPN11006NL,LQ |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 17A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 200µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2000pF @ 30V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 700mW (Ta), 30W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.4 mOhm @ 8.5A, 10V |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Pacchetto / caso | 8-PowerVDFN |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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TPN11003NL,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N CH 30V 11A 8TSON-ADV | - | 0 | Dettagli |
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TPN11006NL,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 60V 17A 8TSON | - | 3000 | Dettagli |
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TPN1110ENH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON | - | 0 | Dettagli |