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| Numero di parte | TPC8A02-H(TE12L,Q) |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 16A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1970pF @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.6 mOhm @ 8A, 10V |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOP (5.5x6.0) |
| Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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TPC8A02-H(TE12L,Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 16A SOP8 2-6J1B | 0 | Dettagli | |
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TPC8A05-H(TE12L,QM | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP | - | 0 | Dettagli |
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TPC8A06-H(TE12LQM) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 12A 8SOP | 0 | Dettagli |