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| Numero di parte | TPC6009-H(TE85L,FM |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5.3A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.7nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 290pF @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 700mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 81 mOhm @ 2.7A, 10V |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | VS-6 (2.9x2.8) |
| Pacchetto / caso | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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TPC6006-H(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 40V 3.9A VS6 2-3T1A | - | 0 | Dettagli |
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TPC6008-H(TE85L,FM | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 5.9A VS6 | - | 0 | Dettagli |
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TPC6009-H(TE85L,FM | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 40V 5.3A VS6 | - | 0 | Dettagli |