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| Numero di parte | TK56E12N1,S1X |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 120V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 56A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 69nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4200pF @ 60V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 168W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7 mOhm @ 28A, 10V |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220 |
| Pacchetto / caso | TO-220-3 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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TK56E12N1,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N CH 120V 56A TO-220 | - | 0 | Dettagli |