TK39J60W,S1VQ

MOSFET N-CH 600V 38.8A TO-3P
TK39J60W,S1VQ P1
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Toshiba Semiconductor and Storage ~ TK39J60W,S1VQ

Numero di parte
TK39J60W,S1VQ
fabbricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione
MOSFET N-CH 600V 38.8A TO-3P
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
- TK39J60W,S1VQ PDF online browsing
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte TK39J60W,S1VQ
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 38.8A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.7V @ 1.9mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4100pF @ 300V
Vgs (massimo) ±30V
Caratteristica FET Super Junction
Dissipazione di potenza (max) 270W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65 mOhm @ 19.4A, 10V
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-3P(N)
Pacchetto / caso TO-3P-3, SC-65-3

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