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| Numero di parte | TK39J60W,S1VQ |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 38.8A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.7V @ 1.9mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4100pF @ 300V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Caratteristica FET | Super Junction |
| Dissipazione di potenza (max) | 270W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65 mOhm @ 19.4A, 10V |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-3P(N) |
| Pacchetto / caso | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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TK39J60W,S1VQ | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 600V 38.8A TO-3P | - | 34 | Dettagli |
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TK39J60W5,S1VQ | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N CH 600V 38.8A TO-3P(N) | - | 290 | Dettagli |