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| Numero di parte | 2SK3462(TE16L1,NQ) |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 267pF @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 20W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7 Ohm @ 1.5A, 10V |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PW-MOLD |
| Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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2SK3462(TE16L1,NQ) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 250V 3A PW-MOLD | 0 | Dettagli | |
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2SK3466(TE24L,Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 500V 5A SC-97 | 0 | Dettagli |