2SK3309(Q)

MOSFET N-CH 450V 10A TO220FL
2SK3309(Q) P1
2SK3309(Q) P1
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Toshiba Semiconductor and Storage ~ 2SK3309(Q)

Numero di parte
2SK3309(Q)
fabbricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione
MOSFET N-CH 450V 10A TO220FL
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte 2SK3309(Q)
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 450V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 10A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 920pF @ 10V
Vgs (massimo) ±30V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 650 mOhm @ 5A, 10V
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-220FL
Pacchetto / caso TO-220-3, Short Tab

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