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| Numero di parte | 2SK2917(F) |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 18A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3720pF @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 90W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270 mOhm @ 10A, 10V |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-3P(N)IS |
| Pacchetto / caso | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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2SK2009TE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 0.2A SMINI | - | 0 | Dettagli |
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2SK2034TE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 20V 100MA USM | - | 0 | Dettagli |
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2SK2035(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 20V 0.1A SSM | - | 0 | Dettagli |
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2SK208-GR(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH S-MINI FET | - | 3000 | Dettagli |
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2SK208-O(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH S-MINI FET | - | 0 | Dettagli |
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2SK208-R(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 50V S-MINI | - | 3000 | Dettagli |
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2SK208-Y(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 50V S-MINI | - | 3000 | Dettagli |
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2SK209-BL(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | JFET N-CH SOT23 | - | 3000 | Dettagli |
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2SK209-GR(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | JFET N-CH SOT23 | - | 21000 | Dettagli |
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2SK209-Y(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | JFET N-CH SOT23 | - | 3000 | Dettagli |
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2SK2094TL | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 2A DPAK | 0 | Dettagli | |
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2SK2095N | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 10A TO-220FN | 0 | Dettagli |