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| Numero di parte | 2SK1828TE85LF |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 50mA (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5.5pF @ 3V |
| Vgs (massimo) | 10V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 200mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40 Ohm @ 10mA, 2.5V |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SC-59 |
| Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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2SK1828TE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 20V 50MA S-MINI | - | 33000 | Dettagli |
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2SK1829TE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 20V 0.05A USM | - | 6000 | Dettagli |
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2SK1835-E | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 1500V 4A TO-3P | - | 0 | Dettagli |
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2SK1859-E | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P | - | 0 | Dettagli |