2SA1013-O,T6MIBF(J

TRANS PNP 1A 160V TO226-3
2SA1013-O,T6MIBF(J P1
2SA1013-O,T6MIBF(J P1
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Toshiba Semiconductor and Storage ~ 2SA1013-O,T6MIBF(J

Numero di parte
2SA1013-O,T6MIBF(J
fabbricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione
TRANS PNP 1A 160V TO226-3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli
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Numero di parte 2SA1013-O,T6MIBF(J
Stato parte Last Time Buy
Transistor Type PNP
Corrente - Collector (Ic) (Max) 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 160V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 50mA, 500mA
Corrente - Limite del collettore (max) 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 200mA, 5V
Potenza - Max 900mW
Frequenza - Transizione 50MHz
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Pacchetto dispositivo fornitore TO-92L

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