CSD25484F4

P-CHANNEL FEMTOFET MOSFET
CSD25484F4 P1
CSD25484F4 P1
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Texas Instruments ~ CSD25484F4

Numero di parte
CSD25484F4
fabbricante
Texas Instruments
Descrizione
P-CHANNEL FEMTOFET MOSFET
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte CSD25484F4
Stato parte Active
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2.5A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 1.8V, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.42nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 230pF @ 10V
Vgs (massimo) -12V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 94 mOhm @ 500mA, 8V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 3-PICOSTAR
Pacchetto / caso 3-XFDFN

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